半導體工業(yè)多晶硅出產(chǎn)用石墨制品
    多晶硅出產(chǎn)用石墨制品
    硅半導體用的多晶硅出產(chǎn)用石墨制品。當今，硅資料是以存儲器為中心的半導體工業(yè)所運用的首要質(zhì)料。其出產(chǎn)制造過程中許多運用多晶硅出產(chǎn)用石墨制品。
    多晶硅的出產(chǎn)工藝為，將純度較高的石英石（SiO2）混以焦炭、木炭等炭素資料，高溫下加熱恢復，生成金屬硅（純度約為98％）；然后在反響爐內(nèi)使金屬硅微粉和氯化氫氣體反響組成硅烷氣體；通過重復精粹前進硅烷氣體的純度。
    接下來的工序首要分為兩種方法。一種是將三氯硅烷（ SiHCl3）和氫氣的混合氣體通入溫度為1100℃的石英容器，使其蒸結在容器中聳峙的多晶硅芯棒的表面，并使芯棒的直徑逐步變粗至150~200mm的方法（CVD法，稱之為西門子法另一種是將硅粉末和單硅烷/氫的混合氣體通入流化床反響容器內(nèi)，加熱到600℃，使硅烷分解，反響后生成1mm左右的顆粒狀多晶硅的方法，稱之為流化床法。
    作為上述制造工藝中所運用的多晶硅出產(chǎn)用石墨制品，首先是在硅烷氣體制造過程中運用的用超大型等靜壓石墨制成的1000mm的反響容器。由于超越1000℃要與含硅或氫的周圍氣體觸摸，有必要具有高溫強度和耐化學反響性。在接下的多晶硅CVD出產(chǎn)法中，運用高純石墨制成的部件有多晶硅芯棒的堅持器兼作通電電極、氣體導入的通氣嘴和加熱器。另外，用流化床法出產(chǎn)顆粒狀多晶硅時，也運用1000mm的高純石墨反響容器，但是為了防止硅烷氣體泄露，在其表面要進行SC涂層處理。